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Infineon Technologies BSC060P03NS3E G
| Artikelnummer: | BSC060P03NS3E G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | BSC060P03NS3E G Infineon Technologies |
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Infineon Technologies BSC060P03NS3E G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BSC060P03NS3E G.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 3.1V @ 150µA Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8 Serie OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 50A, 10V Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6020pF @ 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 81nC @ 10V Typ FET P-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17.7A (Ta), 100A (Tc) BSC060P03NS3E G Einzelheiten PDF [English] BSC060P03NS3E G PDF - EN.pdf -
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